卓捷创芯无线电源传输领域专利授权

 作为专注在超低功耗无线通讯技术领域的芯片设计厂商，卓捷创芯科技最近获得了一项属于无线电源传输领域的核心电路发明专利授权，《一种宽输入电压范围和高精度输出的自偏置带隙基准电路》，专利号：ZL 20151.0564335.0。该专利的授权标志着卓捷创芯在这个领域的技术储备占据了业界领先的地位。

在全球三大无线充电技术标准，即PowerMatters Alliance (PMA),  Qi, 和Alliancefor Wireless Power (A4WP)，进行白热化竞争抢占市场份额的今天，各大芯片厂商都在这个新市场积极布局，各种充电规格和不同能量转换效率的产品逐渐面市，诸如三星这样的手机品牌也早已把无线充电作为手机产品的标配。

         然而，在芯片设计层面，其竞争点不外乎是性能与成本的比拼。无线能量传输应用领域中，根据感应距离、使用场景、和无线电源发射器的发射功率的不同，接收端的天线始终面对能量水平高低不一的感应能量。在这样的一个动态环境中做到通讯信号的处理、放大、反馈环路纠错和能量接收，需要芯片内部的电路具有极强的耐高压特性和防静电击穿特性。

        众所周知，半导体集成制造工艺中能够做到上述性能的功率器件只存在于大线宽尺寸（诸如几微米乃至十微米）的功率器件工艺中，广泛应用于超大规模信号处理的深亚微米逻辑器件工艺并不满足上述要求。于是，在无线充电芯片的设计领域，设计人员即面对这一个难以逾越的障碍。若使用大线宽的功率器件，则不兼容于深亚微米逻辑工艺，无法做到低成本的数字信号处理和智能化控制；反之，如果在深亚微米工艺上实施无线接收，则不能满足耐高压类的硬性安全指标。以电路信号处理所需的核心电路，带隙基准电压电路为例，任何现有文献中记载的自偏置（即无需外部启动电路的自启动）带隙基准电路都避免不了MOS晶体管栅极直接连接到剧烈变化的输入感应能量而造成的高低电压，在无线充电领域中，这是无法规避的应用场景。

        在半导体飞速发展的过去三十年间，任何大学本科电子工程系二年级的学生都耳熟能详的带隙基准电压电路经历几十年的发展而早已成熟，在卓捷创芯的技术团队中，唯一不变的风格就是打破常规取得技术突破。本次授权的《一种宽输入电压范围和高精度输出的自偏置带隙基准电路》专利即是这样的典范。其出人意料的理论突破点，在于打破了传统的反馈环路纠错特性是由差模信号输出的一个实施惯例，取而代之的是从共模信号输出点进行反馈连接。那么，差模信号所具有的大增益特性而带来的纠错性能，到底是如何实现的呢？通读该专利文稿，不难发现卓捷创芯的技术团队是对深亚微米半导体工艺特性有着深刻理解的团队。

         答案就是匹配！  模拟电路演变发展了几十年，令人眼花缭乱的模拟信号处理技术和电路结构层出不穷；所有这些都不外乎万变不离其宗的四个关键字，“差分、反馈”。差分，使得有用的信号可以从无处不在的噪声中分离出来，得到放大、过滤和处理；反馈，则是控制的代名词，任何控制系统都是反馈控制系统。而深藏在这四个字背后的，则是现代半导体集成制造工艺所取得的一个关键性能，是所有分离原件所达不到的，那就是“匹配”。卓捷创芯的专利，运用了工艺中的匹配特性完美的解决了差分信号反馈环路才能做到的纠错问题，而得到的是一个在宽广的能量输入范围都可以用深亚微米工艺所提供的普通逻辑器件就可以实施的带隙基准电压电路，该技术对模拟技术领域的贡献，足可以写进新一代的大学教科书里，有着十分耀眼的光芒。